SiLM27512器件是单通（tōng）道高（gāo）速低边（biān）门极驱动器，可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开关。SiLM27512采用一（yī）种能够从内部极大的（de）降低直通电流的设计（jì），将高峰值的源电流（liú）和灌电流脉（mò）冲（chōng）提供给电容负载，以实现轨到轨的驱动能力和典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情况下（xià），能够提供4A的峰（fēng）值源电流和5A的峰值（zhí）灌电流。
低成（chéng）本的门极驱动方案可（kě）用于替代 NPN和 PNP 分离（lí）器（qì）件方案
4A 的峰值源电流和5A的峰值（zhí）灌电（diàn）流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快（kuài）速的（de）上升和下降时间（典（diǎn）型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源（yuán）范（fàn）围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值（zhí）
双输入（rù）设计(可选择反相或非（fēi）反（fǎn）相驱动配置)
输入浮空时输（shū）出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
