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SiLM27511H

单通（tōng）道 20V, 4A/5A 高欠压保护低（dī）边门极驱动器

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SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典（diǎn）型（xíng）应用（yòng）图

产品概述（shù）

SiLM27511H系（xì）列是单通道（dào）高欠压（yā）保护低边门极驱动（dòng）器，可（kě）有效驱（qū）动MOSFET和IGBT等功率开关（guān）。SiLM27511H 采用一种（zhǒng）能够从内部（bù）极大的降（jiàng）低直通电流的设计，将高峰（fēng）值的源电流和（hé）灌电流脉冲提供给（gěi）电容负载，以实现轨到轨的驱动能（néng）力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能（néng）够提供 4A 的峰（fēng）值源电流和 5A 的（de）峰值（zhí）灌电流。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性（xìng）

低成本（běn）的门极驱动（dòng）方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案（àn）

4A的（de）峰（fēng）值源电流和（hé） 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播延时（典型值（zhí）为 18ns）

快（kuài）速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计（jì）(可选（xuǎn）择反（fǎn）相或非（fēi）反相驱动配（pèi）置)

输入浮（fú）空时输（shū）出（chū）保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C