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SiLM2014A

200V低压（yā）驱动芯（xīn）片

样片申请

SiLM2014A_Datasheet

产品（pǐn）概述

产品（pǐn）特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM2014A 是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采（cǎi）用专（zhuān）有（yǒu）的高压集成电路（lù）和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供（gòng）可靠（kào）的单芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容（róng），最（zuì）低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具（jù）有高（gāo）脉冲电流缓冲（chōng）级（jí），以减小驱动器交叉导通。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功（gōng）率（lǜ）MOSFET或（huò）IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间（jiān）负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影响（xiǎng）

驱（qū）动电源范围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑（jí）输入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑（jí）

两通（tōng）道（dào）间（jiān）匹配传输延迟

输出信号与输入（rù）信号同相

通过无（wú）铅认证