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SiLM2004E

200V低压驱动（dòng）芯（xīn）片

样片申请（qǐng）

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品（pǐn）概（gài）述（shù）

SiLM2004E 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动（dòng）器（qì）。采用专有的（de）高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低（dī）支持3.3V逻辑（jí）。输（shū）出（chū）驱动（dòng）器具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小驱（qū）动器交叉（chā）导通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配置的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计的浮动通道

完全运行（háng）时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压（yā），不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭（bì）锁

3.3V、5V逻辑输（shū）入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通（tōng）逻辑

两通道间匹配（pèi）传输延迟

通过无（wú）铅认证（zhèng）

提供（gòng） SOP-8 封装选项