开云


    样(yàng)片申请 | 简体中文
    SLM2136
    600V 200mA/350mA 高压三相(xiàng)半桥驱(qū)动芯片
    样片(piàn)申请
    SLM2136 datasheet
    产品概述
    产品特性
    安规认(rèn)证(zhèng)
    典型应用图(tú)
    产(chǎn)品概述(shù)

    SLM2136是一款高压、高速的三相功率MOSFET和IGBT驱动器。采(cǎi)用(yòng)专有(yǒu)的(de)高压集成电路和锁存免疫CMOS技术,提(tí)供可靠的(de)单芯片驱(qū)动方案。逻辑输入电平(píng)与标(biāo)准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。通过(guò)检测外部电流电阻上电(diàn)流,过流(liú)保护功能能够(gòu)关断所有输出。使能引脚(jiǎo)能同(tóng)时控制6路输出开(kāi)通或关断。提供(gòng)漏极开(kāi)路的故(gù)障信号指示(shì)过流或者欠压关闭发生。通过连(lián)接到RCIN输入的RC网络外(wài)部编程延(yán)时后,过流故(gù)障(zhàng)条件自动清(qīng)除。输出驱动器(qì)具有高脉(mò)冲电流缓(huǎn)冲(chōng)级(jí),以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通(tōng)道可用于驱动高边配置的(de)N型沟道功率MOSFET或IGBT,工(gōng)作(zuò)电压可高(gāo)达600V。

    产(chǎn)品特性

    为(wéi)自举供电设计的浮动(dòng)通道

    全电压范围运行达600V

    允许(xǔ)瞬态负电压(yā),不(bú)受dV/dt影响

    驱动(dòng)电源范(fàn)围从10V到(dào)20V

    欠(qiàn)压闭锁

    高(gāo)低边输入输出反向

    3.3V,5V和(hé)15V逻辑兼容

    低di/dt门极驱动抗干扰能力强

    双通道的匹配延时

    外部可编程(chéng)延时(shí)的自动(dòng)故障清理

    典型(xíng)死区时间:290ns

    典型开通/关断延时:480ns/370ns

    典型驱动电流:200mA/350mA

    封装:SOP28W

    安规认证
    典型应用图

    2136.png

    产(chǎn)品参数(shù)表

    展开过滤(lǜ)器
    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
    SLM2136CF-DGIGBT/ MOSFET0.25/0.3560010-20480/370125/5029090-40-125SOP28WReel/1000
    应用案例

    开云

    开云