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SLM2101S

600V, 130mA/270mA 高压半桥驱动

样（yàng）片（piàn）申请

SLM2101S Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应（yīng）用图

产（chǎn）品（pǐn）概（gài）述

SLM2101S是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器，它（tā）提供相互依（yī）存的高边（biān）、低（dī）边输（shū）出驱（qū）动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供（gòng）可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与（yǔ）标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输（shū）出驱动器具有高脉冲（chōng）电流（liú）缓冲级，以减小（xiǎo）驱（qū）动器交（jiāo）叉导通。延时匹配很方便应用于（yú）高频设备。浮（fú）动通道可（kě）用于驱动高（gāo）边配置的N型（xíng）沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。

产品特性（xìng）

为自举供电设计的浮动通道

全电压范（fàn）围运行达600V

允许瞬态（tài）负电（diàn）压，不受dV/dt影响

驱动电源范（fàn）围从10V到20V

欠（qiàn）压（yā）闭锁

3.3V，5V，15V逻辑兼（jiān）容（róng）

防（fáng）止交叉导通逻辑

两通道间匹配传输延（yán）时

典（diǎn）型（xíng）驱动（dòng）电流（liú）：130mA/270mA

高边输入输出同相

低边输入输出反向