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SLM2009

200V低压（yā）驱动芯片

样片申请

SLM2009 Datasheet

产品概（gài）述

产品特性

安规认证

典（diǎn）型（xíng）应用（yòng）图

产品（pǐn）概述

SLM2009 是一款高（gāo）压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的（de）高压（yā）集成电路和锁存免（miǎn）疫（yì）的CMOS技（jì）术可提供可靠的单（dān）芯片（piàn）驱动方案。逻辑（jí）输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑（jí）。输出（chū）驱动（dòng）器具（jù）有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以减小驱动器交（jiāo）叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电（diàn）压可高达（dá）200V。

产品（pǐn）特性

为（wéi）自举操作设计的浮动通道

完（wán）全运行时电压高（gāo）达（dá） 200V

容许瞬间负电（diàn）压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动（dòng）电流：1A/1.5A

防止交（jiāo）叉导通逻辑

两通（tōng）道间匹配传输延迟

输出信号（hào）与输入信号同相

通过无铅认证（zhèng）